比亚迪唐DM-P新消息，180+km纯电续航，快充40kW

综合新出行编辑@陈大个同学 及@仁者 的帖子消息（谍照图片来自这两位作者），比亚迪唐DM-P开始进行内部测试了。

尾标

照片显示，车辆后尾标贴上了DM-P标识。看起来，这仍然是现款唐DM(i)的车壳，左侧是加油口。宋PLUS四驱版最早申报的尾标是DM-P，后来更正为“DM-i四驱，DM-i X4，DM-i AWD”，我之前还写过一篇文章《宋PLUS DM-p四驱版横生意外，改版了！神马是真正的DM-p？》。

唐的这款测试车直接贴DM-P，那就应该确实比较Powerful了。我在之前的文章中提到：神马是真DM-p？笔者认为大致有三个标准：

基于DM4.0平台，以电为主。后驱功率大于前驱，例如后驱200kW，前驱160kW。电池+发电机的总功率大于300kW。

现款唐DM这种带变速箱的平台是DM3.0，估计不会再加大电池增加快充升级了，而是直接换EHS超级混动这套系统，在DM4.0平台上设计DM-P版本。

续航及电池

从仪表盘的续航里程可以大致估算，这台测试车的纯电续航里程约为189km。也许最后优化后会标200km。其实对于插电混动，我个人目前的体会是续航距离200km以上没太大必要，徒增了车重，增加了能耗。

但是，如果考虑到这是一台性能四驱车，那么电池包必须要有足够容量支撑其性能表现，电池包的功率也许要加大到200kW，考虑到电芯的电流及散热，则电压应该升高，或许大于500V。弗迪电池的刘彦初在六月份秀过比亚迪插混电池包的路线图。其中列出了200公里级续航的电池包，这两款电池包的电压都在500V之上。

快充

老唐DM车主心心念念的快充终于来了，与唐DM-i使用快充转接头方案不同，这款测试车使用的是快慢充分立插口。能看出来，这是在现款唐车壳上生生挖了一个大口子，再打了一块补丁，焊点清晰可见。后续应该会做新模具。

按照1C倍率计算，这款唐DM-P的快充功率或可达到40kW。

动力系统

目前的DM4.0平台超级混动有三款：

EHS160，电机峰值功率160kWEHS145，电机峰值功率145kWEHS132，电机峰值功率132kW

发动机有两款：

1.5T增压发动机，净功率96kW1.5自吸发动机，净功率78kW

唐DM-P如果用“1.5T+EHS160”，也许有点勉强，不排除会开发2.0T发动机及更大的EHS200。

但我个人认为，这种性能型唐DM-P不一定走量，也许经济性四驱会有更好的市场表现。

就凭这120微米的东西，能把比亚迪唐DM的百公里电耗降低3%？

在过去相当长的时间里，IGBT的核心技术始终掌握在国外厂商手里，中高端IGBT市场90%的份额被国际巨头垄断，导致“一芯难求”，成为制约我国电动车行业健康、快速发展的主要瓶颈。

幸好，最近比亚迪把这只“卡脖子”的手拿走了！

12月10日，比亚迪在宁波发布了在车规级领域具有标杆性意义的IGBT4.0技术，再一次展示出其在电动车领域的领先地位。这一晚，比亚迪将IGBT这个长期游离于人们视野、但又堪称电动车CPU的核心技术带到了“聚光灯”下。

比亚迪IGBT4.0晶圆

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的 “双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。得益于在IGBT等核心技术领域的强大实力，比亚迪电动车的超凡性能得以落地并具备持续迭代升级的能力。

作为中国第一家实现车规级IGBT大规模量产、也是唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企，此次发布会上，比亚迪还释放了另一重磅消息：比亚迪已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控。

比亚迪推出IGBT4.0，引领车规级功率半导体发展

IGBT属于汽车功率半导体的一种，因设计门槛高、制造技术难、投资大，被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。此前，该技术主要掌握在国际巨头手中。

“比亚迪依靠自身强大的研发实力、人才的聚集、产业链的配套，在汽车功率半导体领域有了非常核心的突破，这个突破不是今天想，明天投入就能实现的，是积累了十多年的技术、人才和产业链才能实现的。”中国半导体行业协会IC设计分会副理事长周生明在活动现场如此表示。

制造IGBT难度极大，在大规模应用的1200V车规级IGBT芯片的晶圆厚度上，比亚迪处于全球先进水平，可将晶圆厚度减薄到120um（约两根头发丝直径）。

IGBT芯片打线

经过10余年的技术积累，比亚迪IGBT不断迭代更新。活动现场，中国电器工业协会电力电子分会秘书长蔚红旗表示：“比亚迪在电动车功率半导体领域布局较早，而且真抓实干，在电动车功率半导体领域创造了领先，中国的电动车发展不用担心被‘卡脖子’了。”

此次推出的比亚迪IGBT4.0，在诸多关键技术指标上都优于当前市场主流产品，例如：

电流输出能力较当前市场主流的IGBT高15%，支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。同等工况下，综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20%。这意味着电流通过IGBT器件时，受到的损耗降低，使得整车电耗显著降低。以比亚迪全新一代唐为例，在其他条件不变的情况下，仅此一项技术，就成功将百公里电耗降低约3%。温度循环寿命可以做到当前市场主流IGBT的10倍以上。这意味着比亚迪电动车在应对各种极端气候、路况时，能有更高的可靠性和更长的使用寿命。此前，比亚迪电动车就以其优异的性能与稳定的可靠性，完成了从新疆吐鲁番的高温，到北欧的极寒、再到西藏高原的高海拔等全球最严苛自然环境的测试，并在全球300多个市场成功经历了各种气候、路况、驾驶习惯的考验，得到广泛认可。

比亚迪IGBT4.0较当前市场主流的IGBT：电流输出能力高15%，综合损耗降低了约20%。

十多年前，在外界还不看好电动车前景的时候，“技术狂人”王传福就默默布局了电动车的核心技术。作为2003年才进入汽车行业的新玩家，比亚迪从一开始就密切关注IGBT等电动车核心技术的自主研发和创新。

目前，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，是中国唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企。

而“驯服”了IGBT，比亚迪又将目光投向了更远的未来。

虽然在未来较长一段时间内，IGBT仍将供不应求。但比亚迪也已预见到，随着电动车性能不断地提升，对功率半导体组件提出了更高的要求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限。寻求更低芯片损耗、更强电流输出能力、更耐高温的全新半导体材料，已成为学界和业界的普遍共识。

据悉，比亚迪已投入巨资布局第三代半导体材料SiC，并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。

第三代半导体材料SiC

比亚迪SiC晶圆

此次发布会上，比亚迪宣布，已经成功研发了SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。

比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代‘杀手锏’，我们期望在加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。”