比亚迪mcu芯片什么工艺？

反向充电的确很帅，走在哪里都可以开锅造饭，还可以江湖救急。但这么帅的事儿其他车企为什么不搞呢？

反向充电其实不难，但起步很高，难的是硬件支持。反向充电原理很简单，接一个逆变器就能搞定，这并不是谁的专利。当然比亚迪有自己的专利（反向充电新技术的运用和处理方式），只要在技术上不和比亚迪重合就不存在侵权。

其他车企不搞反向充电，一方面新能源车续航力本来就是硬伤，自己都嫌少，哪还有电给别人用？可能你会说，就算纯电汽车不行，不是还有混动车吗，这总不用担心续航问题吧？这就是第二个原因了，是真搞不出来！要给别人反向充电，得自身身板硬才行。目前全世界所有新能源车，只有比亚迪一家是强混，其他全是弱混。他们不是不想搞强混，实在是搞不出来，太多的专利壁垒没法越过，而且别人不给你时间。

如果仅仅是搞个反向充电功能，确实很简单，前面说了，接个逆变器完事儿。但是，反向充电的目的是什么？是应急。自己囊中羞涩如何帮人？英雄救美还得武艺高强嘛！反向充电得高电压，得支持快充才行。轻混几十伏的电压，变成220伏也没法快充。

比亚迪是唯一一家拥有完整生产线的车企，从电池、电机、电控到芯片都有专利。单单一块小小的芯片就难倒一大片，更别说一道完整的专利墙。这也是BBA和丰田都找比亚迪合作的原因；当然也是其他车企不搞反向充电的最大原因。

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这么给你说吧，停电了，，比亚迪唐混动版，带空调带了一天，专不专利的不说，现在只有比亚迪这么强了。

比亚迪不怕芯片卡脖子？未必！本文两分钟让你变成车载芯片行家

这段时间，车载芯片供应紧张，很多汽车生产线因此停产，而一提到车载芯片这个话题，总有很多人马上就搬出比亚迪，说比亚迪芯片能自研，比亚迪不会面临芯片断供的问题……比亚迪自研能力的确很强，但是说比亚迪不会在芯片方面面临断供，其实是对芯片的不了解。

我们不妨来看看汽车上面主要的三种芯片:

第一种是MCU芯片，也就是微控芯片，熟悉电子的小伙伴会把它们叫做“单片机”，这种芯片用在电控方面，比如发动机喷油嘴喷多少油，火花塞什么时候点火（点火正时），都是靠这种芯片算出来。这种芯片也是这次芯片断供风波的主角。

这里补充说一点，这种芯片主要是英飞凌等国际大厂生产的，采用90纳米这样的过时工艺，技术方面不存在垄断，可是外国大厂在商业上比较成功，拥有比较明显的规模优势，产品量大、价廉、质优，各个厂商逐渐比较依赖几家芯片供应商，疫情一来，产量下降，所以大家都没得用了。

英飞凌AUDO MAX系列的TC-1792单片机

第二种是功率芯片，这种芯片是用来负责功率转化的，在电驱动的新能源车上占据的比例最高。而大部分人了解的比亚迪芯片能够自研，其实主要指的是这种芯片，比亚迪已经能够研发IGBT、SiC等各种功率芯片。

SiC晶元

而在汽车智能化不断提高的当下，汽车上已经开始出现了各种高制程的芯片来为汽车智能驾驶辅助提供算力，这些芯片往往由英伟达、英特尔等一线芯片企业设计，采用三星或者富士康的高制程工艺生产，它们的算力甚至能抵得上近百台iPhone 12手机了。

比亚迪发布IGBT4.0“中国芯” 打破国际巨头垄断电动车核心技术

中证APP讯（记者 崔小粟）12月10日，比亚迪（002594）在宁波发布了车规级IGBT4.0技术。该技术在电动车的电流输出能力、综合损耗、温度循环寿命等关键技术指标上都有所突破。据了解，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，全面布局IGBT产业链。业内人士预计，未来五年，全球车规级IGBT市场的供应将愈加紧张。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。IGBT属于汽车功率半导体的一种，因设计门槛高、制造技术难、投资大，被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。此前，该技术主要掌握在国际巨头手中，中高端IGBT市场90%的份额被国际巨头垄断，导致“一芯难求”，成为制约我国电动车行业健康、快速发展的主要瓶颈。目前，比亚迪该技术处于全球先进水平，在大规模应用的1200V车规级IGBT芯片的晶圆厚度上，可将晶圆厚度减薄到120um（约两根头发丝直径）。

此次推出的比亚迪IGBT4.0，在诸多关键技术指标上都十分领先，例如：电流输出能力较当前市场主流的IGBT高15%，支持整车具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。同等工况下，综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20%。这意味着电流通过IGBT器件时，受到的损耗降低，使得整车电耗显著降低。以比亚迪全新一代唐为例，在其他条件不变的情况下，仅此一项技术，就可将百公里电耗降低约3%。

此外，IGBT4.0的温度循环寿命可以做到当前市场主流IGBT的10倍以上。这意味着未来电动车在应对各种极端气候、路况时，能有更高的可靠性和更长的使用寿命。

中国电器工业协会电力电子分会秘书长蔚红旗表示：“比亚迪在电动车功率半导体领域创造了领先，中国的电动车发展不用担心被‘卡脖子’了。”

据了解，2005年，比亚迪组建自身研发团队布局IGBT产业。2009年9月，比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定。目前，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，全面布局IGBT产业链。

根据世界三大电子元器件分销商之一富昌电子（Future Electronics LTD）的统计，2018年，车规级IGBT模块的交货周期最长已经达到52周（IGBT的交货周期正常情况下为8-12周）。而2018-2022年，全球电动车年复合增长率达30%，但同期车规级IGBT市场的年复合增长率仅为15.7%。可以预见，未来几年全球车规级IGBT市场的供应将愈加紧张。

比亚迪方面还宣布，近期已经成功研发了SiCMOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。